英特尔正在按计划实现其“四年五个制程节点”的英特目标，目前，尔推Intel 7，进面节点采用EUV（极紫外光刻）技术的向未新年先性Intel 4和Intel 3均已实现大规模量产。正在顺利推进中的术创Intel 20A和Intel 18A两个节点，将继续采用EUV技术，后巩并应用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术，固制助力英特尔于2025年重夺制程领先性。程领

　　在“四年五个制程节点”计划之后，英特尔将继续采用创新技术推进未来制程节点的尔推开发和制造，以巩固制程领先性。进面节点High NA EUV技术是向未新年先性EUV技术的进一步发展，数值孔径（NA）是术创衡量收集和集中光线能力的指标。通过升级将掩膜上的后巩电路图形反射到硅晶圆上的光学系统，High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率，固制从而有助于晶体管的进一步微缩。

　　作为Intel 18A之后的下一个先进制程节点，Intel 14A将采用High NA EUV光刻技术。此外，英特尔还公布了Intel 3、Intel 18A和Intel 14A的数个演化版本，以帮助客户开发和交付符合其特定需求的产品。

　　为了制造出特征尺寸更小的晶体管，在集成High NA EUV光刻技术的同时，英特尔也在同步开发新的晶体管结构，并改进工艺步骤，如通过PowerVia背面供电技术减少步骤、简化流程。

　　将研究成果转化为可量产、可应用的先进产品，是英特尔50多年来的卓越所在。英特尔将继续致力于通过创新技术推进摩尔定律，以推动AI和其它新兴技术的发展。

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